YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk-produk> Pakej plastik semikonduktor> Penyearah Kawalan Silicon (SCR)> Keupayaan lonjakan semasa yang sangat tinggi 1200V TO-247-3L SCR
Keupayaan lonjakan semasa yang sangat tinggi 1200V TO-247-3L SCR
Keupayaan lonjakan semasa yang sangat tinggi 1200V TO-247-3L SCR
Keupayaan lonjakan semasa yang sangat tinggi 1200V TO-247-3L SCR
Keupayaan lonjakan semasa yang sangat tinggi 1200V TO-247-3L SCR
Keupayaan lonjakan semasa yang sangat tinggi 1200V TO-247-3L SCR
Keupayaan lonjakan semasa yang sangat tinggi 1200V TO-247-3L SCR
Keupayaan lonjakan semasa yang sangat tinggi 1200V TO-247-3L SCR

Keupayaan lonjakan semasa yang sangat tinggi 1200V TO-247-3L SCR

$1.2500-4999 Piece/Pieces

$0.95≥5000Piece/Pieces

Jenis bayaran:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Pengangkutan:Ocean,Land,Express,Others
Port:SHANGHAI
Atribut Produk

Model No.YZPST-50TPS12L

JenamaYZPST

Place Of OriginChina

Tstg-40 ~ 150℃

Tj-40~ 125℃

VDRM1200/1600V

VRRM1200/1600V

VDSMVDRM +100V

VRSMVRRM +100V

IT(RMS)50A

ITSM630A

Di/dt150A/μS

Pembungkusan & Penghantaran
Unit Jualan : Piece/Pieces
Jenis Pakej : 1. Pembungkusan anti-elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Braid
Muat turun :
SCR VS-50TPS12L TO247-3L 25-35MA
Penerangan produk
Siri SCR YZPST-50TPS 50A
Keupayaan lonjakan semasa yang sangat tinggi 1200V TO-247-3L SCR
CIRI-CIRI
Prestasi berbasikal terma tinggi
Kapasiti voltan tinggi
Keupayaan lonjakan semasa yang sangat tinggi
Aplikasi
Talian membetulkan 50/60 Hz
Kawalan Motor Softstart AC
Kawalan Motor DC
Penukar kuasa
Kawalan Kuasa AC
Lampu dan kawalan suhu


YZPST-50TPS16 TO-247

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storagejunction  temperature range

Tstg

-40 ~ 150

Operating junction temperature range

Tj

-40~ 125

Repetitive peak off-state voltage (T =25℃)

VDRM

1200/1600

V

Repetitive peak reverse voltage (T =25℃)

VRRM

1200/1600

V

Non repetitive surge peak Off-state voltage

VDSM

VDRM  +100

V

Non repetitive peak reverse voltage

VRSM

VRRM  +100

V

RMS on-state current (T = 100℃)

IT(RMS)

50

A

Non repetitive surge peak on-state current

ITSM

630

A

I2t value for fusing (tp= 10ms)

I2t

2450

A2 S

Critical rate of rise of on-state curren

t(I =2×IGT, tr ≤ 100 ns)

di/dt

150

A/μS

Peak gate current

IGM

2.5

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

2.5

W



Thermal Resistances
Symbol Parameter Value Unit
TO-3P 0.6
Rth(j-c) Junction to case (DC) TO-247 0.55 ℃/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃unless otherwise specified)
Symbol Test Condition Value Unit
MIN. TYP. MAX.
IGT V = 12V R 140Ω 20 40 60 mA
VGT 1.3 V
VGD VD=VDRM Tj= 125 R= 1KΩ 0.2 V
IL IG= 1.2IGT 300 mA
IH IT= 50mA 200 mA
dV/dt VD=2/3VDRM  Gate Open  Tj=125℃ 500 V/μs
STATIC CHARACTERISTICS
Symbol Parameter Value(MAX  ) Unit
VTM ITM = 140A tp=380μs Tj =25℃ 1.8 V
IDRM VD=VDRM  VR=VRRM Tj =25℃ 200 μA
IRRM Tj =125℃ 8 mA

TO-247 Data Mekanikal Pakej

TO-247 Package Mechanical Data



Rumah> Produk-produk> Pakej plastik semikonduktor> Penyearah Kawalan Silicon (SCR)> Keupayaan lonjakan semasa yang sangat tinggi 1200V TO-247-3L SCR
苏ICP备05018286号-1
Hantar pertanyaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Menghantar