Voltan Tinggi 30TPS12 30A SCR TO-247

Name: SCR 30TPS12 TO247
Uploaded: 2023-05-23T08:15:04+08:00
Description: SCR 30TPS12 TO247

$0.861000-1999 Piece/Pieces

$0.7≥2000Piece/Pieces

Jenis bayaran:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Pengangkutan:	Ocean,Land
Port:	SHANGHAI

Option:

IGT:≤35 mA
IT(RMS):30A
VRRM:1200V
VDRM:1200V
IT(AV):20A
IT(RMS):30A

Hubungi sekarang

Penerangan produk

Atribut Produk

Pembungkusan & Penghantaran

Penerangan produk

Other information

Atribut Produk

Model No.: YZPST-30TPS12

Jenama: YZPST

Tempat Asal: China

IGT: ≤35 mA

IT(RMS): 30 A, 30A

VRRM: 1200V

VDRM: 1200V

IT(AV): 20A

ITSM: 300A

I2t: 450A2s

DI /dt: 50A/μs

PG(AV): 1W

Pembungkusan & Penghantaran

Unit Jualan	:	Piece/Pieces
Jenis Pakej	:	1. Pembungkusan anti-elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Braid
Contoh Gambar	:
Muat turun	:

SCR 30TPS12 TO247



Penerangan produk

30TPS12 Thyristors P/N: YZPST-30TPS12

Voltan Tinggi 30TPS12 30A SCR TO-247

Desrkripsi:

Siri voltan tinggi 30TPS12 penyearah terkawal silikon direka khusus untuk aplikasi penukaran kuasa dan kawalan fasa sederhana. Teknologi passivasi kaca yang digunakan mempunyai operasi yang boleh dipercayai sehingga suhu persimpangan 125 ° C. Aplikasi tipikal berada dalam pembetulan input (permulaan lembut) dan produk ini direka untuk digunakan dengan diod input, suis dan penerus output, yang boleh didapati dalam garis besar pakej yang sama .

YZPST-30TPS12 SCR

Simbol

Symbol	Value
IGT	≤35 mA
IT(RMS)	30 A
VRRM	1200 V

Penilaian Max I Mutlak (TC = 25 ° C, melainkan dinyatakan sebaliknya)

Symbol	PARAMETER	Value	Unit
V DRM	Repetitive peak off-state voltage (Tj =25℃)	1200	V
VRRM	Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃)	1200	V
IT(AV)	Average on-state current (180° conduction angle)	20	A
IT(RMS)	RMS on-state current(full sine wave)	30	A
ITSM	Non repetitive surge peak on-state current (180° conduction angle, F=50Hz ，TC=85℃)	300	A
I2t	I2t for Fusing (t = 10 ms)	450	A2s
dI /dt	Critical rate of rise of on-state current (I =2 ×IGT, tr ≤ 100 ns)	50	A/μs
IGM	Peak Gate Current	4	A
PG(AV)	Average Gate Power dissipation	1	W
Tstg	Storage junction temperature range	-40 ~ 150	°C
TJ	Operating junction temperature range	-40 ~ 125	°C

Ciri -ciri Elektrik (TJ = 25。c, melainkan dinyatakan sebaliknya)

Symbol	Test Condition	Value		Unit
Symbol	Test Condition	Min	Max	Unit
IGT	V = 12V R =33Ω		35	mA
VGT	V = 12V R =33Ω		1.3	V
VGD	VD=VDRM Tj=125℃	0.2		V
IL	IG= 1.2IGT		180	mA
IH	IT=500mA		120	mA
dV/dt	VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃	500		V/μs
VTM	ITM =45A tp=380μs		1.7	V
IDRM	VD=VDRM VR=VRRM		20	μA
IRRM	VD=VDRM VR=VRRM		4	mA