Modul IGBT IGBT 75A 1200V IGBT

YZPST-75HF120TK-G1

Modul IGBT 75A 1200V

CIRI-CIRI
Keupayaan litar pintas yang tinggi, mengehadkan diri semasa litar pintas

Keupayaan litar pintas yang tinggi, mengehadkan diri semasa litar pintas

CHIP IGBT (Teknologi Stop Field Trench+ Field)

Vce ( s at ) dengan cofficient suhu postive

Tukar cepat dan arus ekor pendek, kerugian beralih rendah

Diod roda percuma dengan pemulihan terbalik yang cepat dan lembut

Rasa suhu termasuk

Aplikasi

Aplikasi pensuisan frekuensi tinggi

Penukar kimpalan

Kawalan gerakan/servo

Sistem UPS

Maksimum mutlak Penilaian T C = 25 ° C kecuali sebaliknya ditentukan

Symbol	Parameter	Test Conditions	Values	Unit
IGBT
VCES	Collector - Emitter Voltage	TVj=25°C	1250	V
VGES	Gate - Emitter Voltage		±30	V
IC	DC Collector Current	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
ICM	Repetitive Peak Collector Current	tp=1ms	150	A
Ptot	Power Dissipation Per IGBT		500	W
Diode
VRRM	Repetitive Reverse Voltage	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	Average Forward Current	TC=25°C	115	A
		TC=80°C	75	A
IFRM	Repetitive Peak Forward Current	tp=1ms	150	A
I2t		TVj =125°C, t=10ms, VR=0V	2810	A2s

Ciri -ciri modul

Symbol	Parameter	Test Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
TVj max	Max. Junction Temperature				150	°C
TVj op	Operating Temperature		-40		150	°C
Tstg	Storage Temperature		-40		125	°C
Visol	Insulation Test Voltage	AC, t=1min		3000		V
Torque	To-Sink	Recommended M6	3		5	N·m
Torque	To-Terminal	Recommended M5	2.5		5	N·m
Weight				176		g

Garis Pakej