YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk-produk> Pakej plastik semikonduktor> Arah Bi THYRISTOR (Triac)> Persembahan Perjalanan Tinggi 600V BTA212X-600D 12A Triac
Persembahan Perjalanan Tinggi 600V BTA212X-600D 12A Triac
Persembahan Perjalanan Tinggi 600V BTA212X-600D 12A Triac
Persembahan Perjalanan Tinggi 600V BTA212X-600D 12A Triac
Persembahan Perjalanan Tinggi 600V BTA212X-600D 12A Triac
Persembahan Perjalanan Tinggi 600V BTA212X-600D 12A Triac
Persembahan Perjalanan Tinggi 600V BTA212X-600D 12A Triac
Persembahan Perjalanan Tinggi 600V BTA212X-600D 12A Triac

Persembahan Perjalanan Tinggi 600V BTA212X-600D 12A Triac

$0.125000-49999 Piece/Pieces

$0.1≥50000Piece/Pieces

Jenis bayaran:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Pengangkutan:Ocean,Land,Air,Express,Others
Port:SHANGHAI
Atribut Produk

Model No.YZPST-BTA212X-600D

JenamaYZPST

Tempat AsalChina

IT(RMS)12A

VDRM600V

VRRM600V

VTM≤1.5V

Tstg-40~150℃

Tj-40~125℃

ITSM120A

I2t78A2s

DI/dt50A/ μs

Pembungkusan & Penghantaran
Unit Jualan : Piece/Pieces
Jenis Pakej : 1. Pembungkusan anti-elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Braid
Muat turun :
TRIAC BTA212X-600D TO220F
Penerangan produk

BTA212 12A Triacs

YZPST-BTA212X-600D

Penerangan:
Dengan keupayaan yang tinggi untuk menahan pemuatan kejutan arus besar , triacs siri BTA212 memberikan kadar DV/DT yang tinggi dengan rintangan yang kuat terhadap antara muka elektromagnet. Dengan persembahan komutasi yang tinggi, 3 produk kuadran terutamanya disyorkan untuk digunakan pada beban induktif. Dari ketiga -tiga terminal ke heatsink luaran, ia menyediakan voltan penebat yang dinilai sebanyak 2500 VRM yang mematuhi piawaian UL

YZPST-BTA212X-600D TO-220

Utama CIRI-CIRI:

symbol

value

unit

IT(RMS)

12

A

VDRM/VRRM

600/800/1200

V

VTM

≤1.5

V

Mutlak Maksimum Penilaian:

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600/800/1200

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600/800/1200

V

RMS on-state current

IT(RMS)

12

A

Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)

 

ITSM

 

120

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

78

A2s

Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)

dI/dt

50

A/ μs

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Peak gate power

PGM

5

W

Ciri -ciri elektrik (TJ = 25 melainkan dinyatakan sebaliknya)

3 kuadran :

Parameter Value
Test Condition Quadrant TW SW CW BW Unit
IGT VD=12V, 5 10 35 50 mA
VGT RL=33Ω - - MAX 1.5 V
VGD VD=VDRM - - MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 5 10 40 60 mA
- 20 30 50 70
IL IG=1.2IGT MAX 25 40 60 80 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125 Gate open
dV/dt MIN 100 200 500 1000 V/ µs

4 kuadran :

Parameter Value
Test Condition Quadrant C B Unit
- - 25 50 mA
IGT VD=12V, 50 70 mA
VGT RL=33Ω ALL MAX 1.5 V
VGD VD=VDRM ALL MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 40 60 mA
--  50 70
IL IG=1.2IGT MAX 70 90 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125 Gate open
dV/dt MIN 200 500 V/ µs

Ciri -ciri statik

Symbol Test Condition Value Unit
VTM ITM=17A   tp=380μs Tj=25 MAX 1.5 V
IDRM Tj=25 5 µA
IRRM VDRM= VRRM Tj= 125 MAX 1 mA

Haba Rintangan

Symbol Test Condition Value Unit
TO-220A(Ins 2.3
TO-220B(Non-Ins 1.5
TO-220F(Ins 2.5 /W
Rth(j-c) junction to case(AC) TO-263 1.5

Pakej Data Mekanikal

Yzpst Bta212x 600d To 220f Jpg


Rumah> Produk-produk> Pakej plastik semikonduktor> Arah Bi THYRISTOR (Triac)> Persembahan Perjalanan Tinggi 600V BTA212X-600D 12A Triac
苏ICP备05018286号-1
Hantar pertanyaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Menghantar