Keupayaan Tinggi 3 Kuadran BTA26-600B TO-3PA Triac

Keupayaan Tinggi 3 Kuadran BTA26-600B TO-3PA Triac

Name: Triac BTA26-600B TO-3PA 15-30mA
Uploaded: 2023-08-01T07:00:04+08:00
Description: Triac BTA26-600B TO-3PA

$0.71000-4999 Piece/Pieces

$0.55≥5000Piece/Pieces

Jenis bayaran:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	CFR,CIF
Pengangkutan:	Ocean,Land,Others
Port:	SHANGHAI

Option:

IT(RMS):25A
VDRM:600V
VRRM:600V
VTM:≤1.5V
Tstg:-40~150℃
Tj:-40~125℃

Hubungi sekarang

Penerangan produk

Atribut Produk

Pembungkusan & Penghantaran

Penerangan produk

Other information

Atribut Produk

Model No.: YZPST-BTA26-600B

Jenama: YZPST

Tempat Asal: China

IT(RMS): 26A

VDRM: 600V

VRRM: 600V

VTM: ≤1.5V

Tstg: -40~150℃

Tj: -40~125℃

ITSM: 260A

I2t: 350A2s

Pembungkusan & Penghantaran

Unit Jualan	:	Piece/Pieces
Jenis Pakej	:	1. Pembungkusan anti-elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Braid
Muat turun	:

Triac BTA26-600B TO-3PA 15-30mA



Penerangan produk

BTA26/BTB26Series 26A Triacs

Keupayaan Tinggi 3 Kuadran BTA26-600B TO-3PA Triac

Penerangan:

Dengan keupayaan yang tinggi untuk menahan pemuatan kejutan arus besar, triacs siri BTA26/BTB26 menyediakan kadar DV/DT yang tinggi dengan rintangan yang kuat terhadap antara muka elektromagnet. Dengan persembahan komutasi yang tinggi, 3 produk kuadran terutamanya disyorkan untuk digunakan pada beban induktif. Dari ketiga -tiga terminal ke heatsink luaran, BTA26 menyediakan voltan penebat yang dinilai sebanyak 2500 VRM yang mematuhi piawaian UL

Keupayaan Tinggi 3 Kuadran BTA26-600B TO-3PA Triac

TO-3PA

CIRI-CIRI UTAMA:

symbol	value	unit
IT(RMS)	26	A
VDRM/VRRM	600/800/1200/1600	V
VTM	≤1.5	V

Penilaian maksimum mutlak:

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40~150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40~125	℃
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25℃)	VDRM	600/800/1200/1600	V
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃)	VRRM	600/800/1200/1600	V
RMS on-state current	IT(RMS)	26	A
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)	ITSM	260	A
I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	350	A2s
Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)	dI/dt	50	A/ μs

Peak gate current	IGM	4	A
Average gate power dissipation	PG(AV)	1	W
Peak gate power	PGM	10	W

Ciri -ciri elektrik (TJ = 25 ℃ melainkan dinyatakan sebaliknya)

3 kuadran :

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		CW	BW	Unit
IGT	VD=12V,			35	50	mA
VGT	RL=33Ω	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MAX	1.3		V
VGD	VD=VDRM	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MIN	0.2		V
IH	IT=100mA		MAX	60	80	mA
		Ⅰ-Ⅲ		70	90
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	80	100	mA
	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open		MIN	1000	1500	V/ µs

4 kuadran :

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		C	B	Unit
		Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ		25	50	mA
IGT	VD=12V,	Ⅳ		50	70	mA
VGT	RL=33Ω	ALL	MAX	1.5		V
VGD	VD=VDRM	ALL	MIN	0.2		V
IH	IT=100mA		MAX	60	75	mA
		Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ		70	80
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	90	100	mA
	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open		MIN	200	500	V/ µs