TO-220 BTA216-800B Siri Triac sesuai untuk tujuan umum AC Switching

TO-220 BTA216-800B Siri Triac sesuai untuk tujuan umum AC Switching

$0.154000-19999 Piece/Pieces

$0.13≥20000Piece/Pieces

Jenis bayaran:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Pengangkutan:	Ocean,Land,Express,Others
Port:	SHANGHAI

Hubungi sekarang

Penerangan produk

Atribut Produk

Pembungkusan & Penghantaran

Penerangan produk

Atribut Produk

Model No.: YZPST-BTA216-800B

Jenama: YZPST

Place Of Origin: China

IT(RMS): 16A

VDRM/VRRM: 600/800V

IGT: ≤10mA

ITSM (t=20ms): 140A

ITSM (t= 16.7ms): 150A

I2t: 98A2S

Di/dt: 100A/μs

Pembungkusan & Penghantaran

Unit Jualan	:	Piece/Pieces
Jenis Pakej	:	1. Pembungkusan anti-elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Braid

Penerangan produk

BTA216Triacs

YZPST-BTA216-800B

Desrkripsi:
Oleh kerana pemisahan kaca pemisahan, peranti ini mempunyai kebaikan
Prestasi di DV/DT dan kebolehpercayaan. Siri Triac sesuai untuk penukaran AC tujuan umum. Mereka boleh digunakan sebagai on-off
berfungsi dalam aplikasi seperti relay statik, peraturan pemanasan, atau untuk operasi kawalan fasa dalam dimmers cahaya, kelajuan motor

pengawal.

TO-220

CIRI-CIRI UTAMA

Symbol	Value	Unit
IT(RMS)	16	A
VDRM/VRRM	600/800	V
IGT	≤10	mA

Penilaian Max I Mutlak

Symbol	PARAMETER		Value	Unit
IT(RMS)	RMS on-state current(full sine wave)	TO-220.Non-Ins TC≤99℃	16	A
	Non repetitive surge peak on-state current	t=20ms	140
ITSM	(full sine wave, Tj=25℃)	t= 16.7ms	150	A
I2t	I2t Value for fusing	t= 10ms	98	A2S
di/dt	Repetitive rate of rise of on-state Current after triggering	ITM = 20 A; IG = 0.2 A dIG/dt = 0.2 A/us	100	A/μs
IGM	Peak gate current,	—	2	A
VGM	Peak gate voltage	—	5	W
PGM	Peak gate power	—	5	W
PG(AV)	Average gate power	over any 20 ms period	0.5	W
Tstg	Storage junction temperature range	-40 to +150		℃
Tj	Operating junction temperature range	125		℃

Ciri -ciri statik

Symbol	Parameter	Test Condition	Quadrant	Value			Unit
Symbol	Parameter	Test Condition	Quadrant	MIN	TYPE	MAX	Unit
IGT	Gate trigger current	VD= 12V, IT=0. 1A	Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ	-	-	10	mA
		VD= 12V, IT=0. 1A		-	0.7	1.5
VGT	Gate trigger voltage	VD=400V, IT=0. 1A,Tj= 125°C		0.25	0.4	-	V
VT	On-state voltage	IT=20A		-	1.2	1.5	V
IH	Holding current	VD= 12V, IGT=0. 1A	Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ	-	-		mA
			Ⅰ-Ⅲ	-	-	60	mA
IL	Latching current	VD= 12V, IGT=0. 1A	Ⅱ	-	-	90	mA
ID	Off-state leakage current	VD = VDRM(max); Tj= 125 ˚C		-	0.1	0.5	mA