Prestasi Berbasikal Thermal Tinggi BT145-800R TO-220 SCR

Desrkripsi:
Planar Planar Silicon Controlled Rectifier (SCR) dalam pakej plastik TO220 yang dimaksudkan untuk digunakan dalam aplikasi yang memerlukan keupayaan voltan yang menyekat dua arah, keupayaan inrush semasa yang tinggi dan prestasi berbasikal terma yang tinggi.
Ciri-ciri dan manfaat
Kawalan Kuasa AC
Keupayaan voltan penyekat dua arah yang tinggi
Prestasi berbasikal terma tinggi
Planar dipasangkan untuk kekerasan voltan dan kebolehpercayaan
Keupayaan suhu operasi persimpangan yang tinggi (TJ (max) = 150 ° C)
Pakej memenuhi keperluan mudah terbakar UL94V0
Pakej adalah mematuhi ROHS
IEC 61000-4-4 Fast Transien
Aplikasi
Pencucuhan pelepasan kapasitif (CDI)
Perlindungan Crowbar
Perlindungan Inrush
Kawalan Motor
Peraturan voltan

Keupayaan suhu operasi persimpangan yang tinggi (TJ (max) = 150 ° C)

Cepat data rujukan

Symbol	Parameter	Conditions		Min	Typ	Max	Unit
Absolute maximum rating
VRRM	repetitive peak reverse voltage			-	-	800	V
IT(RMS)	RMS on-state current	half sine wave; Tmb ≤ 128 °C;		-	-	25	A
		Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3
ITSM	non-repetitive peak on- state current	half sine wave; Tj(init)   = 25 °C; tp     = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5		-	-	300	A
		half sine wave; Tj(init)   = 25 °C; tp    = 8.3 ms		-	-	330	A
Tj	junction temperature			-	-	150	°C
Symbol	Parameter	Conditions		Min	Typ	Max	Unit
Static characteristics
IGT	gate trigger current	VD     = 12 V; IT   = 0.1 A; Tj    = 25 °C; Fig. 7		1.5	-	15	mA
IH	holding current	VD   =  12 V; Tj    = 25 °C; Fig. 9		-	-	60	mA
VT	on-state voltage	IT   = 30 A; Tj    = 25 °C; Fig.  10		-	1.1	1.5	V
Dynamic characteristics
dVD/dt	rate of rise of off-state voltage	VDM     = 536 V; Tj      =  150  °C;  (VDM     = 67% of VDRM); exponential waveform; gate open circuit		80	-	-	V/μs

Mengehadkan nilai

I n mengikut dengan The Mutlak Maksimum Penilaian Sistem ( IEC 60134).

Symbol	Parameter	Conditions		Min	Max	Unit
VDRM	repetitive peak off-state voltage			-	800	V
VRRM	repetitive peak reverse voltage			-	800	V
IT(AV)	average on-state current	half sine wave; Tmb  ≤ 128°C;		-	16	A
IT(RMS)	RMS on-state current	half sine wave; Tmb ≤ 128°C; Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3		-	25	A

ITSM	non-repetitive peak on- state current	half sine wave; Tj(init)   = 25 °C; tp     = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5		-	300	A
		half sine wave; Tj(init)   = 25 °C; tp    = 8.3 ms		-	330	A
I2t	I2t for fusing	tp    = 10 ms; SIN		-	450	A2s
d IT/dt	rate of rise of on-state current	IG   = 20 mA		-	200	A/μs
IGM	peak gate current			-	5	A
VRGM	peak reverse gate			-	5	V
	voltage
PGM	peak gate power			-	20	W
PG(AV)	average gate power	over any 20 ms period		-	0.5	W
Tstg	storage temperature			-40	150	°C
Tj	junction temperature			-	150	°C

Ciri -ciri terma

Symbol	Parameter	Conditions		Min	Typ	Max	Unit
Rth(j-mb)	thermal resistance	Fig. 6		-	-	1	K/W
	from junction to
	mounting base
Rth(j-a)	thermal resistance	in free air		-	60	-	K/W
	from junction to
	ambient free air