YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk-produk> Pakej plastik semikonduktor> Penyearah Kawalan Silicon (SCR)> 800V Fasa Sifar Rectifier Controlled
800V Fasa Sifar Rectifier Controlled
800V Fasa Sifar Rectifier Controlled
800V Fasa Sifar Rectifier Controlled

800V Fasa Sifar Rectifier Controlled

$0.42000-99999 Piece/Pieces

$0.3≥100000Piece/Pieces

Jenis bayaran:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Pesanan minimum:2000 Piece/Pieces
Pengangkutan:Ocean,Air
Port:SHANGHAI
Atribut Produk

JenamaYZPST

Pembungkusan & Penghantaran
Unit Jualan : Piece/Pieces
Jenis Pakej : 1. Pembungkusan anti-elektrostatik 2. Kotak kadbod 3. Pembungkusan pelindung plastik
Penerangan produk

PH ASE CONTROL SCR

YZPST-25TTS08

Huraian / Ciri

Penyearah terkawal 25TTS08 direka khas untuk aplikasi pensuisan kuasa sederhana dan kawalan fasa. Teknologi pasifasi kaca yang digunakan mempunyai operasi yang boleh dipercayai hingga suhu persimpangan 125 oC.

Aplikasi khas adalah dalam penyesuaian input (softstart) dan produk-produk ini dirancang untuk digunakan dengan dioda input, penerus dan penyearah keluaran International Rectifier yang tersedia dalam garis besar paket yang serupa.

PERINGKAT MAKSIMUM ABSOLUT (Ta = 25 OC)

Parameter

 

Symbol

 

Typ

 

Unit

 

Repetitive peak off-state voltages

VDRM

VRRM

 

800

 

V

Average on-state current

IT(AV)

16

A

RMS on-state current

IT(RMS)

25

A

 

Non-repetitive peak on-state current

 

ITSM

 

300

 

A

Max. Operating Junction

Temperature

 

Tj

 

110

 

oC

Storage Temperature

Tstg

-45~150

oC

1



KARAKTERISTIK ELEKTRIK (Ta = 25 OC)

Parameter

 

Symbol

 

Test  Conditions

 

Min

 

Typ

 

Max

 

Unit

 

Repetitive peak off-state voltages

VDRM

VRRM

 

 

-

 

800

 

-

 

V

 

Average on-state current

 

IT(AV)

 

o

 

-

 

16

 

-

 

A

 

RMS on-state current

 

IT(RMS)

 

all conduction angles

 

-

 

25

 

-

 

A

 

On-state voltage

 

VTM

 

o

 

-

 

-

 

1.25

 

V

Holding current

IH

VD =12 V; IGT = 0.1 A

 

-

 

-

100

mA

Latching current

IL

VD =12 V; IGT = 0.1 A

 

-

 

-

200

mA

 

Gate trigger current

 

IGT

 

VD =12 V; IT = 0.1 A

 

-

 

-

 

45

 

mA

 

Gate trigger voltage

 

VGT

 

VD =12 V; IT = 0.1 A

 

-

 

-

 

2.0

 

V


苏ICP备05018286号-1
Hantar pertanyaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Menghantar