YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk-produk> Peranti modul semikonduktor> Modul diod.> Kebolehpercayaan Tinggi MFC200 1600V Modul Diod Thyristor
Kebolehpercayaan Tinggi MFC200 1600V Modul Diod Thyristor
Kebolehpercayaan Tinggi MFC200 1600V Modul Diod Thyristor
Kebolehpercayaan Tinggi MFC200 1600V Modul Diod Thyristor
Kebolehpercayaan Tinggi MFC200 1600V Modul Diod Thyristor
Kebolehpercayaan Tinggi MFC200 1600V Modul Diod Thyristor
Kebolehpercayaan Tinggi MFC200 1600V Modul Diod Thyristor
Kebolehpercayaan Tinggi MFC200 1600V Modul Diod Thyristor

Kebolehpercayaan Tinggi MFC200 1600V Modul Diod Thyristor

$2550-999 Piece/Pieces

$18≥1000Piece/Pieces

Jenis bayaran:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Pengangkutan:Ocean,Land
Port:SHANGHAI
Atribut Produk

Model No.YZPST-MFC200-16

JenamaYZPST

Tempat AsalChina

VRRM1600V

VDRM1600V

VRSM1700V

IRRM, IDRM70 mA

Dv/dt1000 V/µs

ITAV, IFAV216A

ITRMS, IFRMS340A

ITSM, IFSM6.8kA

Pembungkusan & Penghantaran
Unit Jualan : Piece/Pieces
Jenis Pakej : 1. Pembungkusan anti-elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Braid
Contoh Gambar :
Muat turun :
Modul Diod Thyristor MFC200-16
Penerangan produk
YZPST-MFC200-16
Modul Thyristor / Diode
Ciri-ciri:
- Pemindahan haba melalui asas logam terpencil seramik aluminium-nitrida
- Sendi Soldered Hard untuk Kebolehpercayaan Tinggi
- Thyristor dengan menguatkan pintu
Aplikasi biasa:
- Kawalan Motor DC - Permulaan Lembut Motor AC
- Kawalan suhu
- Dimming cahaya profesional

Penyekatan terbalik - Off -State

Device Type VRRM (1) VDRM (1) VRSM (1)
YZPST MFC200 1600 V 1600 V 1700 V

Vrrm = voltan terbalik puncak berulang

Vdrm = voltan luar negeri yang berulang-ulang

VRSM = Voltan terbalik puncak yang tidak berulang (2)

Repetitive reverse  and off-state peak leakage current IRRM, IDRM 70 mA (3)
Critical rate of  rise of off-state voltage dv/dt 1000 V/µs (4)
Menjalankan
Parameter Symbol Min Max Typ Unit Conditions
Average on-state / forward current ITAV, IFAV 216 A 50 Hz sine wave,180o conduction,
Tc = 85 °C
RMS on-state / forward current ITRMS, IFRMS 340 A 50 Hz sine wave,180° conduction,
Tc = 85 °C
Surge non repetitive current ITSM, IFSM 6.8 kA 50 Hz sine wave
Half cycle
I squared t I2 t 231 kA2s VR = 0
Tj = Tjmax
Peak on-state / forward voltage VTM, VFM 1.1 V On-state current 200 A, Tj = Tjmax
Threshold voltage VT(TO) 0.8 V Tj = Tjmax
On-state slope resistance rT 1.4 Tj = Tjmax
Holding current IH 150 mA Tj = 25 °C
Latching current IL 200 mA Tj = 25 °C
Critical rate of rise of on-state current di/dt 500 A/µs IG = 5 IGT,  tr= 1 µs, Tj = Tjmax,  non rep.
RMS isolation voltage VINS 3000 V AC 50 Hz, 60 s
Mencetuskan
Parameter Symbol Min Max Typ Unit Conditions
Gate current IGT 150 mA VD = 6 V; RL  = 6 Ω; Tj = 25 °C
Gate voltage VGT 2 V VD = 6 V; RL  = 6 Ω; Tj = 25 °C

Garis besar dan Dimensi

OUTLINE AND DIMENSIONS

Rumah> Produk-produk> Peranti modul semikonduktor> Modul diod.> Kebolehpercayaan Tinggi MFC200 1600V Modul Diod Thyristor
苏ICP备05018286号-1
Hantar pertanyaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Menghantar