YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk-produk> Peranti modul semikonduktor> Modul Thyristor.> 162a modul thyristor
162a modul thyristor
162a modul thyristor
162a modul thyristor
162a modul thyristor
162a modul thyristor

162a modul thyristor

$261-19 Piece/Pieces

$19≥20Piece/Pieces

Jenis bayaran:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Pengangkutan:Ocean,Air
Port:SHANGHAI
Atribut Produk

Model No.YZPST-SKKT162-08E

JenamaYZPST

PermohonanBerfrekuensi tinggi, Cermin Semasa

Jenis BekalanPengilang asal, ODM, Agensi, yang lain

Bahan RujukanLembaran data, Foto, yang lain

Jenis PakejGunung Permukaan, Lubang Through

Kaedah PemasanganMelalui lubang, Gunung Permukaan

Fungsi FETSilikon Karbida (SiC), Piawai, Persimpangan Super, GaNFET (Gallium Nitrida), Tidak berkenaan

KonfigurasiBujang, Jenis-T, Suis Tunggal, Tidak berkenaan

IT(AV)162A

ITRMS250A

ITSM4800A

I2t115kA2S

VDRM/VRRM800/800V

Di/dt200A/us

Viso4000/4500V

Tj-40 ~ + 125℃

Tstg-40 ~ + 125℃

Pembungkusan & Penghantaran
Unit Jualan : Piece/Pieces
Muat turun :
YZPST-SKKT162-08E
Penerangan produk



Dwi Modul Thyristor

Jenis: YZPST-SKKT162 /08E


ciri-ciri

Pemindahan haba melalui aluminium nitrida seramik terasing logam baseplate
Kenalan tekanan logam berharga untuk kebolehpercayaan yang tinggi
Thyristor dengan menguatkan pintu


Aplikasi tipikal

· Kawalan Motor DC

· Permulaan lembut motor AC

· Kawalan suhu

· Dimming cahaya profesional

Penilaian maksimum

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IT(AV)

Single phase,half wave,85° conduction TC=77

162

A

ITRMS

Single phase,half wave,85° conduction

250

A

ITSM

TC=125

4800

A

I2t

TC=125

115

kA2S

VDRM/VRRM

TC=125

800/800

V

di/dt

non-repetitive

200

A/us

Viso

A.C.1m/1S

4000/4500

V

Tj

 

-40  ~  + 125

Tstg

 

-40  ~  + 125

W

 

-

g

Ciri -ciri elektrik

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IDRM /IRRM

AtVDRMSingle phase,half wave,TC=125

60

mA

VTM

On-State Current 500A,Tj=25

1.85

V

VT(TO)

Tj=125

1.35

V

tgd

Tj=25

1

us

tq

Tj=125

 

us

IGT/VGT

Tj=25

150 / 2

mA/V

VGD

VD=67%VDRM , Tj=125

0.25

V

DV/DT

VD=67%VDRM

1000

V/us

IH

Tj=25

400

mA

IL

Tj=25

1000

mA

Rth(j-c)

Per Module

0.08

K/W

Lukisan garis besar

162A Dual Thyristor Modules









苏ICP备05018286号-1
Hantar pertanyaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Menghantar