YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk-produk> Pakej plastik semikonduktor> Arah Bi THYRISTOR (Triac)> 12A 800V BT138-800E TO-220C TRIAC DENGAN HOLDED ROW dan PENGETAHUI SEMASA
12A 800V BT138-800E TO-220C TRIAC DENGAN HOLDED ROW dan PENGETAHUI SEMASA
12A 800V BT138-800E TO-220C TRIAC DENGAN HOLDED ROW dan PENGETAHUI SEMASA
12A 800V BT138-800E TO-220C TRIAC DENGAN HOLDED ROW dan PENGETAHUI SEMASA
12A 800V BT138-800E TO-220C TRIAC DENGAN HOLDED ROW dan PENGETAHUI SEMASA
12A 800V BT138-800E TO-220C TRIAC DENGAN HOLDED ROW dan PENGETAHUI SEMASA
12A 800V BT138-800E TO-220C TRIAC DENGAN HOLDED ROW dan PENGETAHUI SEMASA
12A 800V BT138-800E TO-220C TRIAC DENGAN HOLDED ROW dan PENGETAHUI SEMASA

12A 800V BT138-800E TO-220C TRIAC DENGAN HOLDED ROW dan PENGETAHUI SEMASA

$0.13600-19999 Piece/Pieces

$0.1≥20000Piece/Pieces

Jenis bayaran:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Pengangkutan:Ocean,Land,Air
Port:SHANGHAI
Atribut Produk

Model No.YZPST-BT138-800E

JenamaYZPST

Place Of OriginChina

IT(RMS)12A

VDRM/VRRM600/800V

VTM≤1.6V

Tstg-40~150℃

Tj-40~125℃

ITSM120A

I2t45A2s

Pembungkusan & Penghantaran
Unit Jualan : Piece/Pieces
Jenis Pakej : 1. Pembungkusan anti-elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Braid
Contoh Gambar :
Muat turun :
Triac BT138-800E TO220
Penerangan produk

Siri BT138 12A Triacs

YZPST-BT138-800E

Penerangan

Dengan pegangan rendah dan mengunci arus, BT138

Triac siri sangat disyorkan untuk

Gunakan kuasa jenis rintangan tengah dan kecil

beban.

YZPST-BT138-800E


Utama CIRI-CIRI:

symbol

value

unit

IT(RMS)

12

A

VDRM/VRRM

600/800

V

VTM

≤1.6

V

Mutlak Maksimum Penilaian:

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600/800

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600/800

V

RMS on-state current

IT(RMS)

12

A

Non repetitive surge peak on-state current

(full cycle, F=50Hz)

 

ITSM

 

120

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

45

A2s

Critical rate of rise of on-state current (IG=2 × IGT) - - 50
dI/dt 10 A/ μs
Peak gate current IGM 2 A
Average gate power dissipation PG(AV) 0.5 W
Peak gate power PGM 5 W

Ciri -ciri elektrik (TJ = 25 melainkan dinyatakan sebaliknya)

3 kuadran :

Parameter Value
Test Condition Quadrant SW CW BW Unit
IGT 10 35 50 mA
VGT VD=12V, RL=33Ω - - MAX 1.3 V
VGD VD=VDRM Tj=125 - - MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 10 40 60 mA
- 30 50 70
IL IG=1.2IGT MAX 40 60 80 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125
dV/dt Gate open MIN 200 500 1000 V/ µs

4 kuadran :

Parameter Value
Test Condition Quadrant D E F G Unit
Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ 5 10 25 50
IGT 10 25 70 100 mA
VGT VD=12V, RL=33Ω Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ MAX 1.3 V
VGD VD=VDRM Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 10 20 40 60 mA

Pakej Mekanikal Data

TO-220C

Rumah> Produk-produk> Pakej plastik semikonduktor> Arah Bi THYRISTOR (Triac)> 12A 800V BT138-800E TO-220C TRIAC DENGAN HOLDED ROW dan PENGETAHUI SEMASA
苏ICP备05018286号-1
Hantar pertanyaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Menghantar