Keupayaan Tinggi 600V BTB06-600B TO-220 TRIAC

Keupayaan Tinggi 600V BTB06-600B TO-220 TRIAC

$0.095000-49999 Piece/Pieces

$0.07≥50000Piece/Pieces

Jenis bayaran:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Pengangkutan:	Ocean,Land,Express,Others
Port:	SHANGHAI

Hubungi sekarang

Penerangan produk

Atribut Produk

Pembungkusan & Penghantaran

Penerangan produk

Atribut Produk

Model No.: YZPST-BTB06-600B

Jenama: YZPST

Place Of Origin: China

IT(RMS): 6A

VDRM: 600V

VRRM: 600V

VTM: ≤1.5V

Tstg: -40~150℃

Tj: -40~125℃

ITSM: 60A

Pembungkusan & Penghantaran

Unit Jualan	:	Piece/Pieces
Jenis Pakej	:	1. Pembungkusan anti-elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Braid

Penerangan produk

BTA06/BTB06 Siri 6A Triacs

YZPST-BTB06-600B

Keupayaan Tinggi 600V BTB06-600B TO-220 TRIAC

Penerangan:
Dengan keupayaan yang tinggi untuk menahan pemuatan kejutan arus besar, triacs siri BTA06/BTB06 menyediakan kadar DV/DT yang tinggi dengan rintangan yang kuat terhadap antara muka elektromagnet.
Dengan persembahan komutasi yang tinggi, 3 produk kuadran terutamanya disyorkan untuk digunakan pada beban induktif. Dari ketiga -tiga terminal ke heatsink luaran, BTA06 menyediakan voltan penebat yang dinilai sebanyak 2500 VRM yang mematuhi piawaian UL

TO-220

Utama CIRI-CIRI:

symbol	value	unit
IT(RMS)	6	A
VDRM/VRRM	600/800	V
VTM	≤1.5	V

Mutlak Maksimum Penilaian:

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40~150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40~125	℃
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25℃)	VDRM	600/800	V
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃)	VRRM	600/800	V
RMS on-state current	IT(RMS)	6	A
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)	ITSM	60	A

I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	18	A2s
Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)	dI/dt	50	A/ μs
Peak gate current	IGM	2	A
Average gate power dissipation	PG(AV)	1	W
Peak gate power	PGM	5	W

Ciri -ciri elektrik (TJ = 25 ℃ melainkan dinyatakan sebaliknya)

3 kuadran :

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		TW	SW	CW	BW	Unit
IGT	VD=12V,			5	10	35	50	mA
VGT	RL=33Ω	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MAX	1.5				V
VGD	VD=VDRM	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MIN	0.2				V
IH	IT=100mA		MAX	6	10	35	60	mA
		Ⅰ-Ⅲ		10	15	50	70
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	15	25	60	80	mA
	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open		MIN	50	100	500	1000	V/ µs

4 kuadran :

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		C	B	Unit
		Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ		25	50	mA
IGT	VD=12V,	Ⅳ		50	70	mA
VGT	RL=33Ω	ALL	MAX	1.5		V
VGD	VD=VDRM	ALL	MIN	0.2		V
IH	IT=100mA		MAX	40	60	mA
IL	IG=1.2IGT	Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ	MAX	50	70	mA