YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk-produk> Pakej plastik semikonduktor> Arah Bi THYRISTOR (Triac)> Penjualan Panas 12A BT151X-500R T0-220F SCR
Penjualan Panas 12A BT151X-500R T0-220F SCR
Penjualan Panas 12A BT151X-500R T0-220F SCR
Penjualan Panas 12A BT151X-500R T0-220F SCR
Penjualan Panas 12A BT151X-500R T0-220F SCR
Penjualan Panas 12A BT151X-500R T0-220F SCR
Penjualan Panas 12A BT151X-500R T0-220F SCR
Penjualan Panas 12A BT151X-500R T0-220F SCR

Penjualan Panas 12A BT151X-500R T0-220F SCR

$0.15000-49999 Piece/Pieces

$0.08≥50000Piece/Pieces

Jenis bayaran:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Pengangkutan:Ocean,Land,Others,Air
Port:SHANGHAI
Atribut Produk

Model No.YZPST-BT151X-500R

JenamaYZPST

Place Of OriginChina

IT(RMS)12A

VDRM500V

VRRM500V

IGT15mA

Tstg-40 ~150℃

Tj-40~125℃

ITSM100A

Pembungkusan & Penghantaran
Unit Jualan : Piece/Pieces
Jenis Pakej : 1. Pembungkusan anti-elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Braid
Muat turun :
TRIAC BT151X-500R TO220F
Penerangan produk

BT151 Series 12A SCRS

YZPST-BT151X-500R

Penjualan Panas 12A BT151X-500R T0-220F SCR
Penerangan:

Thyristors Glasspassivated Dalam sampul Aplastic, siri SCRS BT151 sesuai untuk menyesuaikan semua mod kawalan, yang terdapat dalam aplikasi seperti perlindungan lekuk lekap, litar kawalan motor dalam alat kuasa dan alat bantu dapur, litar terhad semasa, pencucuhan pelepasan kapasiti dan voltan

YZPST-BT151X-500R

Utama CIRI-CIRI

Symbol

Value

Unit

IT(RMS)

12

A

VDRM VRRM

650

V

IGT

15

mA

Mutlak Maksimum Penilaian

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40 ~ 150

Operating junction temperature range

Tj

-40~ 125

Repetitive peak off-state voltage (T =25)

VDRM

650

V

Repetitive peak reverse voltage (T =25)

VRRM

650

V

RMS on-state current (T = 105)

IT(RMS)

12

A

Non repetitive surge peak on-state current

( 180° conduction angle, F=50Hz)

ITSM

100

A

Average on-state current ( 180° conduction angle)

IT(AV)

8

A

I2t value for fusing (tp= 10ms)

I2t

45

A2S

Critical rate of rise of on-state current

(I =2 ×IGT, tr  ≤   100 ns)

di/dt

50

A/μS

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Elektrik Ciri -ciri (T = 25melainkan jika tidak ditentukan )

Symbol

Test Condition

 

Value

Unit

IGT

V = 12V R = 140Ω

MAX.

15

mA

VGT

MAX.

1.3

V

VGD

VD=VDRM Tj=125 R= 1KΩ

MIN.

0.2

V

IL

IG= 1.2IGT

MAX.

50

mA

IH

IT=50mA

MAX.

30

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Open    Tj=125

MIN.

400

V/μs

Ciri -ciri statik

Symbol Parameter ValueMAX. Unit
VTM ITM =23A tp=380μs Tj =25 1.6 V
IDRM VD=VDRM VR=VRRM Tj =25 5 μA
IRRM Tj =125 2 mA

Haba Rintangan

Symbol Parameter Value Unit
TO-220M1 60
Rth(j-a) junction to    ambient TO-220FW 50
TO-252 70
TO-220M1 1.5 /W
Rth(j-c) Junction to case TO-220FW 4.5
TO-252 2

TO-220FW Pakej Mekanikal Data
TO-220F


Rumah> Produk-produk> Pakej plastik semikonduktor> Arah Bi THYRISTOR (Triac)> Penjualan Panas 12A BT151X-500R T0-220F SCR
苏ICP备05018286号-1
Hantar pertanyaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Menghantar