SCR harga transistor kuasa transistor dengan harga yang hebat

SCR harga transistor kuasa transistor dengan harga yang hebat

dapatkan harga terkini

Jenis bayaran:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Pengangkutan:	Ocean,Air
Port:	Shanghai

Hubungi sekarang

Penerangan produk

Atribut Produk

Pembungkusan & Penghantaran

Penerangan produk

Atribut Produk

Model No.: YZPST-1690-TO-247S

Jenama: YZPST

Pembungkusan & Penghantaran

Jenis Pakej

1. Pembungkusan anti-elektrostatik 2. Kotak kadbod 3. Pembungkusan plastik pelindung

Penerangan produk

PST1690 Series 90A SCRs

YZPST-1690-TO-247S

D E SCRI P TI O N:

PS T1 6 9 0 s e r i e s o f si l ikon c o n trolled rec t i f IERS, w engan h i g h ab i l ity t o wit h st yang d t h e s h o ck l o a d i n g o f lar g e c u r r en t, p ro v idea h i g h d v / d t kadar w ith s t r pada g menahan sebuah ce kepada e lec t r o m a g ne tic i n t e r e re n c e . Th e y semula e s p e cially rec o mm en d e d f o penggunaan r o n s o l i d st a te rela y, mo t o rc y cle, po w e r c ha r g e r, T - t oo ls e tc

SCR harga transistor kuasa transistor dengan harga yang hebat

A B S O L U TE MA X I MU M R A TINGS

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40-150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40-125	℃
Repetitive peak off-state voltage	VDRM	1600	V
Repetitive peak reverse voltage	VRRM	1600	V
Average on-state current (TC=80℃)	IT(AV)	56	A
RMS on-state current(TC=80℃)	IT(RMS)	90	A
Non repetitive surge peak on-state current (tp=10ms)	ITSM	1250	A
I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	7800	A2s
Critical rate of rise of on-state current (IG=2×IGT)	dI/dt	150	A/μs
Peak gate current	IGM	10	A
Peak gate power	PGM	20	W
Average gate power dissipation(Tj=125℃)	PG(AV)	2	W

E L E C TRICAL CH A R A CTERI S TICS ( T j = 25 ℃ u n kurang o t h e r w ise s pe ci f i e d )

Symbol	Test Condition	Value			Unit
Symbol	Test Condition	MIN.	TYP.	MAX.	Unit
IGT	VD=12V RL=30Ω	10	-	80	mA
VGT	VD=12V RL=30Ω	-	-	1.5	V
VGD	VD=VDRM Tj=125℃	0.25	-	-	V
IL	IG=1.2 IGT	-	-	200	mA
IH	IT=1A	-	-	150	mA
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate Open	1000	-	-	V/μs