YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk-produk> Peranti cakera semikonduktor (jenis kapsul)> Fasa Kawalan Thyristor.> Thyristor Kuasa Tinggi untuk Aplikasi Kawalan Fasa 1600V
Thyristor Kuasa Tinggi untuk Aplikasi Kawalan Fasa 1600V
Thyristor Kuasa Tinggi untuk Aplikasi Kawalan Fasa 1600V
Thyristor Kuasa Tinggi untuk Aplikasi Kawalan Fasa 1600V
Thyristor Kuasa Tinggi untuk Aplikasi Kawalan Fasa 1600V
Thyristor Kuasa Tinggi untuk Aplikasi Kawalan Fasa 1600V

Thyristor Kuasa Tinggi untuk Aplikasi Kawalan Fasa 1600V

$3501-9 Piece/Pieces

$250≥10Piece/Pieces

Jenis bayaran:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Pengangkutan:Ocean,Air
Port:SHANGHAI
Atribut Produk

Model No.YZPST-KP4350A1600V

JenamaYZPST

VRRM1600V

VDRM1600V

I RRM /I DRM450A

I T(AV)4350A

Pembungkusan & Penghantaran
Unit Jualan : Piece/Pieces
Jenis Pakej : 1. Pembungkusan anti-elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Pembungkusan Perlindungan Plastik
Muat turun :
43 域 KP4350A1600V.MP4
私域 KP4350A1600V 截取 视频 15 秒 (1) -3.75mb.mp4
Penerangan produk


Thyristor Kuasa Tinggi untuk Aplikasi Kawalan Fasa

YZPST-KP4350A1600V


Ciri-ciri:

. Semua struktur tersebar

. Konfigurasi Pintu Menguatkan Linear

. Menyekat capabilty sehingga 16 00 volt

. Masa giliran maksimum dijamin

. Keupayaan DV/DT Tinggi

. Tekanan peranti yang dipasang

Ciri -ciri dan penilaian elektrik

Menyekat - di luar negeri

Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

KP4350A

  1600

  1600

  1700

V rrm = voltan terbalik puncak berulang

V drm = puncak berulang dari voltan negara

V RSM = Voltan terbalik puncak yang tidak berulang (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

 

450 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

300 V/msec

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

  4350

 

A

Sinewave,180o conduction,TS=70oC

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

48900

  

 

A

 

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

11.9x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

     1000

 

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     450

 

mA

VD = 12 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

     1.5

 

V

ITM = 6000 A; Duty cpstcle £ 0.01%

Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5)

di/dt

 

      200

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

15

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

30

300

200

125

 

mA

mA

mA

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

0.30

5

3

 

 

V

V

V

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

15

 

V



Garis besar dan dimensi kes.

High power thyristor for phase control applications 1600V



Rumah> Produk-produk> Peranti cakera semikonduktor (jenis kapsul)> Fasa Kawalan Thyristor.> Thyristor Kuasa Tinggi untuk Aplikasi Kawalan Fasa 1600V
苏ICP备05018286号-1
Hantar pertanyaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Menghantar