Aplikasi Thyristor Semasa Tinggi

dapatkan harga terkini

Jenis bayaran:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Pengangkutan:	Ocean,Air
Port:	SHANGHAI

Hubungi sekarang

Penerangan produk

Atribut Produk

Penerangan produk

Atribut Produk

Model No.: YZPST-N330CH26

Jenama: YZPST

Penerangan produk

Aplikasi Thyristor Semasa Tinggi

YZPST-N330CH26

POWER TINGGI thyristor 3000V OF Ciri-ciri:. Konfigurasi Pintu Mengandungi Interdigitated . Tinggi dV / dt Keupayaan

. Masa pusingan maksimum dijamin . Tekanan Dipasang Alat

THYRISTOR POWER TINGGI UNTUK APLIKASI KAWALAN FASA

KARAKTERISTIK DAN KADAR ELEKTRIK

Menyekat - Mati Negeri

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
3000	3000	3100

V _RRM = Voltan terbalik puncak berulang

V _DRM = Pusingan voltan negeri yang berulang-ulang

V _RSM = Voltan terbalik puncak berulang-ulang (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM
/}I_DRM

20 mA

100 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Nota:

Semua penilaian ditetapkan untuk Tj = 25 oC melainkan dinyatakan sebaliknya.

(1) Semua penarafan voltan dinyatakan bagi suatu gelombang sinusoidal 50Hz / 60zHz yang digunakan pada julat suhu -40 hingga +125 oC.

(2) 10 msec. maks. lebar denyutan

(3) Nilai maksima untuk Tj = 125 oC.

(4) Nilai minimum untuk waveshape linear dan eksponen kepada VDRM yang diberi nilai 80%. Pintu dibuka. Tj = 125 oC.

(5) Nilai tidak berulang.

(6) Nilai di / dt ditubuhkan mengikut Standard EIA / NIMA RS-397, Seksyen 5-2-2-6. Nilai yang ditakrifkan adalah sebagai tambahan kepada yang diperolehi dari litar ubber, yang terdiri daripada kapasitor 0.2 F dan 20 ohmsresistance selari dengan thresor di bawah ujian.

Melakukan - pada keadaan

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)		1132		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=55^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		2228		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 14.3		kA kA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		1.02x10⁶		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		1000		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.08		V	I_TM = 1830 A
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		400		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		200		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

Gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		30		W
Average gate power dissipation	P_G(AV)		4		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		300		mA	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		3.0		V	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Peak negative voltage	V_RG_M		5		V

Dinamik

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_g_d		1.0	-	ms	V_D=67% V_DRM, I_T=2000A, di/dt=60A/us, I_FG=2A, t_r=0.5us, T_j=25C
Turn-on time	t_gt		2.0	-
Turn-off time (with V_R = -5 V)	t_q	-	-	400	ms	I_TM=1000A, t_p=1000us, di/dt=10A/us, V_r=50V, V_dr=80%V_DRM, dV_dr/dt=20V/us
Reverse recovery current	I_r_m		-		A	I_TM=4000A, t_p=2000us, di/dt=60A/us

KARAKTERISTIK DAN PENINGKATAN MESIN DAN MEKANIK

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+150		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)		- -		K/kW	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R_Q_(c-s)		- -		K/kW	Double sided cooled * Single sided cooled *
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-_s₎		24 48		K/kW	Double sided cooled Single sided cooled
Mounting force	F	19	26	-	kN
Weight	W			-	Kg	about