YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk-produk> Peranti cakera semikonduktor (jenis kapsul)> Fasa Kawalan Thyristor.> Frekuensi Tinggi Thyristor dieksport ke seluruh dunia
Frekuensi Tinggi Thyristor dieksport ke seluruh dunia
Frekuensi Tinggi Thyristor dieksport ke seluruh dunia
Frekuensi Tinggi Thyristor dieksport ke seluruh dunia
Frekuensi Tinggi Thyristor dieksport ke seluruh dunia
Frekuensi Tinggi Thyristor dieksport ke seluruh dunia

Frekuensi Tinggi Thyristor dieksport ke seluruh dunia

dapatkan harga terkini
Jenis bayaran:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Pengangkutan:Ocean,Air
Port:SHANGHAI
Penerangan produk
Atribut Produk

Model No.YZPST-R0929LC12A

JenamaYZPST

Penerangan produk


Kekuatan Frekuensi Tinggi Ekonomi dan Efisien Dieksport ke Seluruh Dunia

YZPST-R0929LC12A


THYRISTOR POWER TINGGI UNTUK APLIKASI KAWALAN FASA


Ciri-ciri 1200V THYRISTOR adalah Konfigurasi Pintu Mengubah Terpadu yang Terpendam . Semua Struktur Tersebar, Masa Maksimum Diaktifkan Maksimum . Tekanan Dipasang Alat

dan Kemampuan dV / dt Tinggi.


KARAKTERISTIK DAN KADAR ELEKTRIK


Menyekat - Mati Negeri


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

V RRM = Voltan terbalik puncak berulang

V DRM = Pusingan balik voltan negeri berulang

V RSM = Voltan terbalik puncak berulang-ulang (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec



Nota:

Semua penilaian ditentukan untuk Tj = 25 oC melainkan dinyatakan sebaliknya.

(1) Semua penarafan voltan dinyatakan bagi suatu gelombang sinusoidal 50Hz / 60zHz yang digunakan pada julat suhu -40 hingga +125 oC.

(2) 10 msec. maks. lebar nadi

(3) Nilai maksimum untuk Tj = 125 oC.

(4) Nilai minimum untuk waveshape linear dan eksponen hingga 80% undian VDRM. Pintu dibuka. Tj = 125 oC.

(5) Nilai tidak berulang.

(6) Nilai di / dt ditubuhkan mengikut Standard EIA / NIMA RS-397, Seksyen 5-2-2-6. Nilai yang ditentukan adalah sebagai tambahan kepada yang diperolehi dari litar ubber, yang terdiri daripada kapasitor 0.2 F dan 20 ohmsresistance selari dengan thresor di bawah ujian.


Menjalankan - pada keadaan

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

929

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1893

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

405x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.04

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinamik

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

10

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

KARAKTERISTIK DAN PENINGKATAN MESIN DAN MEKANIKAL

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

32

64

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Pemasangan permukaan licin, rata dan lancar

Nota: untuk garisan dan dimensi kes, lihat lukisan garisan kes dalam halaman 3 Data Teknikal ini



Imej terperinci


YZPST-R0929LC12A HIGH POWER THYRISTOR

Rumah> Produk-produk> Peranti cakera semikonduktor (jenis kapsul)> Fasa Kawalan Thyristor.> Frekuensi Tinggi Thyristor dieksport ke seluruh dunia
苏ICP备05018286号-1
Hantar pertanyaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Menghantar