Tinggi dV / dt thyristor kuasa tinggi 6500V

Tinggi dV / dt thyristor kuasa tinggi 6500V

$1501-99 Piece/Pieces

$95≥100Piece/Pieces

Jenis bayaran:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Pesanan minimum:	1 Piece/Pieces
Pengangkutan:	Ocean,Air
Port:	SHANGHAI

Hubungi sekarang

Penerangan produk

Atribut Produk

Pembungkusan & Penghantaran

Penerangan produk

Atribut Produk

Model No.: YZPST-KP894A-6500V

Jenama: YZPST

Pembungkusan & Penghantaran

Unit Jualan	:	Piece/Pieces
Jenis Pakej	:	1. Pembungkusan anti-elektrostatik 2. Kotak kadbod 3. Pembungkusan plastik pelindung

Penerangan produk

THYRISTOR POWER TINGGI UNTUK APLIKASI KAWALAN FASA

YZPST-KP894A-6500V

Penerangan Produk

Ciri-ciri:

. Semua Struktur Tersebar

. Konfigurasi Pintu Konfigurasi Interdigitated v

. Masa pusingan maksimum dijamin

. Tinggi dV / dt Keupayaan

. Tekanan Dipasang Alat

KARAKTERISTIK DAN KADAR ELEKTRIK

Menyekat - Mati Negeri

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
6500	6500	6600

V _RRM = Voltan terbalik puncak berulang

V _DRM = Pusingan balik voltan negeri berulang

V _RSM = Voltan terbalik puncak berulang-ulang (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM /}I_DRM

20 mA

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Nota:

Semua penilaian ditetapkan untuk Tj = 25 ^o C melainkan dinyatakan sebaliknya.

(1) Semua penilaian voltan ditentukan untuk digunakan

Gelombang sinusoidal 50Hz / 60zHz ke atas

julat suhu -40 hingga +125 ^o C.

(2) 10 msec. maks. lebar nadi

(3) Nilai maksimum untuk Tj = 125 ^o C.

(4) Nilai minimum untuk waveshape linear dan eksponen hingga 80% V _DRM diberi nilai . Pintu dibuka. Tj = 125 ^o C.

(5) Nilai tidak berulang.

(6) Nilai di / dt ditubuhkan mengikut dengan EIA / NIMA Standard RS-397, Seksyen 5-2-2-6. Nilai yang ditentukan adalah sebagai tambahan kepada yang diperolehi dari litar ubber, yang terdiri daripada kapasitor 0.2 m F dan 20 ohmsresistance selari dengan thristor di bawah ujian.

Nota:

Semua penilaian ditetapkan untuk Tj = 25 ^o C melainkan dinyatakan sebaliknya.

(1) Semua penilaian voltan ditentukan untuk digunakan

Gelombang sinusoidal 50Hz / 60zHz ke atas

julat suhu -40 hingga +125 ^o C.

(2) 10 msec. maks. lebar nadi

(3) Nilai maksimum untuk Tj = 125 ^o C.

(4) Nilai minimum untuk waveshape linear dan eksponen hingga 80% V _DRM diberi nilai . Pintu dibuka. Tj = 125 ^o C.

(5) Nilai tidak berulang.

Menjalankan - pada keadaan

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Max. average value of on-state current	I_T(AV)_M		894		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=60^oC
RMS value of on-state current	I_T₍_RMS_)m		1404		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 12		kA kA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		0.72x10⁶		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		3000		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		300		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.4		V	I_TM = 1000 A ,T_j = 25 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		-		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		200		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V